四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子燭刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。
預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。反應(yīng)放熱后,氟開始和碳化硅進行反應(yīng),通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應(yīng)繼續(xù)進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴大,光伏發(fā)電累計裝機容量不斷上升,預(yù)計2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。
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